美國向三星電子提供64億美元補貼，三星德州泰勒首家工廠將從2026年起生產4納米和2納米芯片

美國政府15日公布，決定將向在德克薩斯州興建半導體工廠的三星電子提供64億美元補貼。韓國政府此前向美方提出“讓對美進行半導體投資的韓企享受無差別對待”的要求。美國商務部長吉娜·雷蒙多前一天在記者會上表示，為幫助三星電子在得州建廠，美國政府將根據《芯片與科學法案》向三星提供64億美元補貼。

Le logo de Samsung Electronics devant le siège de l'entreprise à Séoul, en Corée du Sud, le 31 janvier 2023. AP - Ahn Young-joon

韓聯社報道，三星的泰勒首家工廠將從2026年起生產4納米和2納米芯片，第二工廠將從2027年起量產尖端芯片，研發工廠也將於2027年投產。美國對三星的補貼規模僅次於對英特爾（85億美元）和台積電（66億美元）的補貼規模。

三星電子將向德州泰勒市投資170億美元，擴大興建中的半導體工廠規模和投資對象，直至2030年共投資450億美元。這比原先計畫的投資規模多出一倍以上。

美國政府高層官員表示，三星電子將在美國進行核心研發，在得州延續半導體技術開發，通過這次投資至少可創造1.7萬個建築工作崗位，加上供應鏈方面的工作崗位，數量有望超過數萬個。另一名美國官員表示，對三星電子提供芯片補貼是美政府旨在推動尖端半導體技術迴流國內的第三項投資，與三星電子400多億美元的投資結合，總規模將在美國外國人投資歷史上留下濃重的一筆。

三星電子2022年起在泰勒市興建的半導體工廠用地額外投建新工廠，新設封裝設備和尖端研發設備，據此全面進軍美國市場。